101年 - 101 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_電氣技術員、電子電機人員：電子學#26744

科目：電子學 | 年份：101年 | 選擇題數：40 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：電子學

選擇題 (40)

1. PN 二極體空乏區內 P 型半導體具有下列何者？ (A)電洞 (B)電子 (C)正離子(D)負離子

2.有關「電子伏特」之敘述，下列何者正確？ (A)為能量單位 (B)為電壓單位 (C)為電流單位(D)為功率單位

3.半導體之本質為ni ，電子濃度為n ，電洞濃度為 p ，則下列敘述何者正確？ (A) n_i = p + n (B) n_i= p - n (C)

4.二極體之順向直流工作點電壓及電流分別為 0.7V 及 2mA，熱當電壓為 25mV，其交流動態電阻為何？ (A)0O (B)12. 5O (C) 28O(D) 350O

5.如【圖 5】所示之理想二極體電路，I 為何？ (A) -2mA (B) -1mA (C) 1mA(D) 2mA

6.若 BJT 工作於順向主動區，則下列敘述何者正確？ (A)基射極接面逆向偏壓且基集極接面逆向偏壓 (B)基射極接面逆向偏壓且基集極接面順向偏壓 (C)基射極接面順向偏壓且基集極接面逆向偏壓 (D)基射極接面順向偏壓且基集極接面順向偏壓

7. BJT 工作於作用區且α= 0.98，基極電流為 0.06mA，則射極電流為何？ (A) 3mA (B) 5mA (C) 7mA(D) 8mA

8.下列何者為 BJT 射極隨耦器之特性？ (A)電流增益約為 1 (B)電壓增益約為 1 (C)輸出阻抗甚高(D)輸入阻抗甚低

9.如【圖 9】所示之電路，BJT 之β = 100，切入電壓為 0.7V，則 V_CE 約為何？ (A) 9.5V (B) 8.2V (C) 5.8V (D) 4.3V

10.如【圖 10】所示之電路，BJT 之β= 100，切入電壓為 0.7 V，則 V_CE 約為何？ (A) 2.2V (B) 3.52V (C) 5.62V(D) 6.4V

11.有關共集極放大電路之敘述，下列何者正確？ (A)電壓增益甚高 (B)輸入阻抗甚低 (C)輸出端為射極(D)又稱為集極隨耦器

12. BJT 共射極放大電路中，與射極回授電阻並聯的旁路電容器，其功用為何？ (A)提昇電壓增益 (B)阻隔直流電流 (C)濾波(D)防止短路

13. JFET 在歐姆區工作模式時，若汲源極電壓 V_DS很小，則其通道電阻為何？ (A)0 (B) ∞ (C)為非線性電阻特性(D)為線性電阻特性

14.下列敘述何者正確？ (A)空乏型 MOSFET 可具有增強型特性 (B)空乏型 MOSFET 沒有預置通道 (C)增強型 MOSFET 有預置通道(D)增強型N 通道 MOSFET 之閘源極電壓為負才能控制電流

15.如【圖 15】所示之電路，JFET 之 I_DSS = 4 mA，V_GS(OFF) = -4 V，則 I_D約為何？ (A) 0A (B) 2mA (C) 3mA(D) 4mA

16.某放大電路之電壓增益為 100，電流增益為 10，則其功率增益為何？ (A) 10 dB (B) 20 dB (C) 30 dB(D) 60 dB

17.有關達靈頓放大電路之敘述，下列何者錯誤？ (A)電流增益約為 1 (B)輸出阻抗很小 (C)可用來作阻抗匹配(D)輸入與輸出同相位

18.積體電路中，常用的串級放大電路耦合型態為何？ (A)變壓器耦合 (B)直接耦合 (C)電容耦合(D)電感耦合

19.如【圖 19】所示之電路，V_o為何？ (A)-4 V (B) -2 V (C)2 V (D) 4 V

20.如【圖 20】所示，此為何種電路？ (A)施密特觸發電路 (B)減法器電路 (C)非反相放大電路 (D)反相放大電路

21.若要使二極體導通，電壓源 E 至少需要多大？ (A) IR₁ (B) IR₂ (C) 2IR₁(D) 2IR₂

22. I=2mA，E=15V，R₁=5kΩ ，R₂=5kΩ ，則流經 R₁的電流有多大？ (A) 1mA (B) 2mA (C) 3mA(D) 4mA

23.本題之電流 I 為多大？ (A) 0 (B) 1.7mA (C) 2mA(D) 2.5mA

24.本題之電路是正邏輯的何種閘電路？ (A)及(AND)閘 (B)或(OR)閘 (C)反及(NAND)閘(D)反或(NOR)閘

25.如【圖 25】所示的電路，為由齊納二極體(Zener Diode)所構成的齊納穩壓器。若齊納二極體的 V_Z=5V，電源 V=10V，R=1kΩ ，R_L=2.5kΩ ，則流經齊納二極體的電流 I_Z大約為多大？ (A) 0 (B) 2mA (C) 3mA(D) 5mA

26.若其集極電流 I_C=1mA，則其跨導 g_m值約為多大？ (A) 1mA/V (B) 40mA/V (C) 1A/V(D) 40A/V

27.若其β=100，當集極電流 I_C=1mA 時，其小訊號 rπ 值約為多大？ (A) 0.1kΩ (B) 0.25kΩ (C) 1kΩ(D) 2.5kΩ

28.若其爾利電壓(Early Voltage)為 30V，當集極電流 I_C=1mA，其輸出電阻 r_o 值約為多大？ (A) 10kΩ (B) 20kΩ (C) 30kΩ(D) ∞

29.如【圖 29】的電路，設電晶體操作在主動模式(active mode)，其 I_C=0.5mA，R_C=10kΩ，R_L=10kΩ， R_E=0.2kΩ，C_E及 C_C均極大。此電路之小訊號電壓增益 A_v=V_o/V_i大約為多大？ (A) -20V/V (B) -40V/V (C) -100V/V (D) -200V/V

30.承上題，若電晶體的β=100，則此電路的小訊號輸入電阻 R_in 約為多大？ (A) 50Ω (B) 250Ω (C) 5kΩ (D) 25kΩ

31.在【圖 31】的電路，電晶體操作在主動模式(active mode)，其 V_BE=0.7V，β=100。設電流源 I=5mA， R_B=50kΩ ，R_C=2kΩ ，則 V_E約為多大？ (A) -0.7V (B) -1.8V (C) -2.5V (D) -3.2V

32.一個 NMOSFET，其臨界電壓(Threshold Voltage)V_t=1V。輸入端的電壓，V_GS=2V 時，其汲極飽和電流 I_D=1mA。則當 V_GS增至 3V 而電晶體仍處於飽和模式(Saturation mode)之 I_D值約為多大？ (A) 1mA (B) 2mA (C) 4mA(D) 9mA

33.一個 NMOSFET，其臨界電壓(Threshold Voltage)V_t=1V。當輸出端的電壓 V_DS=2V 時，其汲極飽和電流 I_D=1mA。則當 V_DS增至 4V 時，其汲極飽和電流 I_D值約為多大？ (A) 1mA (B) 2mA (C) 4mA(D) 9mA

34.在【圖 34】的電路，NMOS 電晶體的臨界電壓(Threshold voltage)Vt=1V。電流源 I=1mA，V_DD=5V，若要使該電晶體操作在飽和模式(Saturation mode)，則 R_D的最大值為多大？ (A) 4kΩ (B) 5kΩ (C) 6kΩ (D)無限制

35.在【圖 35】的共源(CS)放大器，設 NMOS 電晶體操作在飽和模式（偏壓電路略去未顯示），其臨界電壓(Threshold voltage)V_t=1V，爾利電壓(Early Voltage)V_A= ∞，R_D=10kΩ ，若輸入電壓之直流成分 V_I=2V 時，汲極電流之直流成分 I_D=1mA。此共源放大器的小訊號電壓增益約為多大？ (A) -10V/V (B) -20V/V (C) -40V/V (D) -∞

36.在【圖 36】的電路為一疊接(Cascode)放大器，其偏壓電路略去未顯示。電晶體 Q₁、Q₂ 之跨導分別為 g_m1、g_m2，輸出電阻 r_o1、r_o2均為∞。此疊接放大器之小訊號電壓增益 Av=vo/vi 為何？ (A) -g_m1R_D (B) +g_m1R_D(C) -_gm2R_D (D) +g_m2R_D

37.以 MOSFET 構成的各種放大器組態中，具有較低頻寬的是哪一種組態？ (A)共源(CS)組態 (B)共閘(CG)組態 (C)共汲(CD)組態(D)疊接(Cascode)組態

38.在共源(CS)放大器的各級閘電容中，以何者的米勒效應(Miller’s Effect)最為明顯？ (A) C_gs (B) C_gd (C) C_db(D) C_sb

39.藉由何種組態的負回授，可以構成一電流放大器(Current Amplifer)？ (A)並聯-並聯(Shunt-shunt) (B)並聯-串聯(Shunt-series) (C)串聯-並聯(Series-shunt)(D)串聯-串聯(Series-series)

40.藉由何種組態的負回授，可同時提高一個回授放大器的輸入電阻及輸出電阻？ (A)並聯-並聯(Shunt-shunt) (B)並聯-串聯(Shunt-series) (C)串聯-並聯(Series-shunt)(D)串聯-串聯(Series-series)

申論題 (0)