33.一個 NMOSFET，其臨界電壓(Threshold Voltage)V_t=1V。當輸出端的電壓 V_DS=2V 時，其汲極飽和電流 I_D=1mA。則當 V_DS增至 4V 時，其汲極飽和電流 I_D值約為多大？
(A) 1mA
(B) 2mA
(C) 4mA
(D) 9mA

答案：登入後查看
統計： A(19), B(9), C(8), D(11), E(0) #936528

詳解 (共 3 筆)

我只是略懂

B2 · 2016/12/12

#1547185

都說是定電流區了不考慮E-E的話電流不隨VDS改變

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簡單不複雜

B3 · 2017/12/19

#2538492

在飽和區ID與VDS無關

(共 14 字，隱藏中）

前往觀看

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leila52033

B1 · 2016/03/03

#1275332

請問這題怎算?謝謝

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