阿摩線上測驗
登入
首頁
>
電子學
>
101年 - 101 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_電氣技術員、電子電機人員:電子學#26744
> 試題詳解
試題詳解
試卷:
101年 - 101 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_電氣技術員、電子電機人員:電子學#26744 |
科目:
電子學
試卷資訊
試卷名稱:
101年 - 101 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_電氣技術員、電子電機人員:電子學#26744
年份:
101年
科目:
電子學
33.一個 NMOSFET,其臨界電壓(Threshold Voltage)V
t
=1V。當輸出端的電壓 V
DS
=2V 時,其汲極飽和 電流 I
D
=1mA。則當 V
DS
增至 4V 時,其汲極飽和電流 I
D
值約為多大?
(A) 1mA
(B) 2mA
(C) 4mA
(D) 9mA
正確答案:
登入後查看
詳解 (共 1 筆)
簡單不複雜
B3 · 2017/12/19
推薦的詳解#2538492
未解鎖
在飽和區ID與VDS無關
(共 14 字,隱藏中)
前往觀看
3
0