3. 假設圖(一)之二極體為一理想元件，試求 I_D 之值約為何？ (A) 0.83 mA (B) 1.0 mA (C) 1.87 mA (D) 2.5 mA

13. 如圖(九)所示電路，假設 PMOS 與 NMOS 場效電晶體之臨界電壓(threshold voltage) $|V_{tp}|=|V_{tn}|=1\text{ V}$，$\mu_n C_{ox}(W/L)_n=20\text{ \textmu A/V}^2$，$\mu_p C_{ox}(W/L)_p=10\text{ \textmu A/V}^2$，當 $V_I=2\text{ V}$，在不考慮通道長度調變效應(channel-length modulation)下，試問 PMOS 與 NMOS 電晶體各工作在什麼區域？ (A) PMOS：飽和區 NMOS：飽和區 (B) PMOS：三極體區 NMOS：三極體區(triode region) (C) PMOS：飽和區 NMOS：三極體區 (D) PMOS：三極體區 NMOS：飽和區