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試題詳解

試卷:114年 - 114 四技二專統測_電機與電子群電機、電機與電子群資電類:基本電學、基本電學實習、 電子學、電子學實習#126877 | 科目:統測◆(一)電子學、基本電學

試卷資訊

試卷名稱:114年 - 114 四技二專統測_電機與電子群電機、電機與電子群資電類:基本電學、基本電學實習、 電子學、電子學實習#126877

年份:114年

科目:統測◆(一)電子學、基本電學

31. 下列有關MOSFET之敘述,何者正確?
(A) D-MOSFET,閘源極間未加VGS電壓時,汲源極間無法導通
(B) P通道E-MOSFET,閘源極間須加正電壓,才可使汲源極間導通
(C) E-MOSFET,閘源極間須加逆偏電壓,才可關閉汲源極間導通電流
(D) N通道MOSFET之基體(substrate )為P型半導體

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