38. 有關理想運算放大器的特性，下列敘述何者有誤？
(A)輸出阻抗 $R_{0} = 0$
(B)共模電壓增益 $A_{\mathrm{c}} = \infty$
(C)輸入阻抗 $R_{\mathrm{i}} = \infty$
(D)共模拒斥比CMRR = ∞

39. 一N通道空乏型MOSFET工作時，其開極電壓為何？ (A)僅為正電壓 (B)僅為負電壓 (C)可為正或負電壓 (D)必須接地

40. 一共射極(CE)放大器，其電壓增益大小為99。若在基極( B )與集極( C )之間存在一個寄生電容 $C_{\mathrm{bc}} = 10 \mathrm{pF}$，根據米勒定理(Miller's Theorem)，此電容映射到「輸入端」的等效電容 $C_{1}(\text{Miller})$ 為何？ (A) $10 \mathrm{pF}$ (B) $980 \mathrm{pF}$ (C) $990 \mathrm{pF}$ (D) $1000 \mathrm{pF}$

41. 如右圖所示之電路，若 $\mathrm{D}_{1}$ 及 $\mathrm{D}_{2}$ 均為理想二極體， $\mathrm{v}_{\mathrm{i}}(\mathrm{t}) = 200\sqrt{2}\sin 377\mathrm{tV}$，變壓器匝數比 $\mathrm{N}_{1}:\mathrm{N}_{2}:\mathrm{N}_{3} = 10:1:1$，則電阻 $5\Omega$ 上的電流 $\mathrm{i}_{\mathrm{o}}$ 有效值為何？ (A) $\mathrm{i_o} = 2\mathrm{A}$ (B) $\mathrm{i_o} = 2\sqrt{2}\mathrm{A}$ (C) $\mathrm{i_o} = 4\mathrm{A}$ (D) $\mathrm{i_o} = 4\sqrt{2}\mathrm{A}$

42. 如右圖所示之雙準位截波電路，若 $\mathrm{Vi} = 10\sin (\omega t)\mathrm{V}$，且D1與D2為理想二極體，則 $\mathrm{V_o}$ 輸出波形之電壓範圍為何？ (A) $-8\mathrm{V}$ 至 $+12\mathrm{V}$ (B) $-8\mathrm{V}$ 至 $+8\mathrm{V}$ (C) $-12\mathrm{V}$ 至 $+8\mathrm{V}$ (D) $-12\mathrm{V}$ 至 $+12\mathrm{V}$

43. 如右圖所示之電路， $\mathrm{R}_1 = 10\mathrm{k}\Omega$ ， $\mathrm{R}_2 = 5\mathrm{k}\Omega$ ， $\mathrm{R_E} = 3.3\mathrm{k}\Omega$ ，若電晶體之切入電壓 $\mathrm{V_{BE}} = 0.7\mathrm{V}$ ，熱電壓 $\mathrm{V_T} = 25\mathrm{mV}$ ， $\beta = 99$ ，則輸入阻抗 $\mathrm{Z_i}$ 約為何？ (A) $2 \mathrm{k} \Omega$ (B) $3.3\mathrm{k}\Omega$ (C) $4.7\mathrm{k}\Omega$ (D) $5\mathrm{k}\Omega$

44. 如右圖所示之MOSFET電路，其臨界電壓 $\mathrm{V_T} = 1.8\mathrm{V}$，參數 $\mathrm{K} = 1.2\mathrm{mA / V^2}$，已選擇適當之 $\mathrm{R_D}$ 使電路操作於飽和區且 $\mathrm{I_D} = 1.08\mathrm{mA}$，則 $\mathrm{R_{G1}}$ 應調整為何？ (A) $150\mathrm{k}\Omega$ (B) $180\mathrm{k}\Omega$ (C) $210\mathrm{k}\Omega$ (D) $250\mathrm{k}\Omega$

45. 如右圖所示之電路，運算放大器之輸出飽和電壓為 $\pm 15\mathrm{V}$， $\mathrm{R}_1 = 10\mathrm{k}\Omega$ ，欲使電路產生振盪，則 $\mathrm{R}_2$ 之最小值及遲滯電壓(Hysteresis Voltage) $\mathrm{V_H}$ 分別為何？ (A) $\mathrm{R}_2 = 15\mathrm{k}\Omega$ 、 $\mathrm{V_H} = 10\mathrm{V}$ (B) $\mathrm{R}_2 = 15\mathrm{k}\Omega$ 、 $\mathrm{V_H} = 15\mathrm{V}$ (C) $\mathrm{R}_2 = 20\mathrm{k}\Omega$ 、 $\mathrm{V_H} = 10\mathrm{V}$ (D) $\mathrm{R}_2 = 20\mathrm{k}\Omega$ 、 $\mathrm{V_H} = 15\mathrm{V}$

46. 如右圖所示之振盪電路， $\mathrm{V_o}$ 之振盪頻率為 $10\mathrm{kHz}$，回授因數 $\beta = -\frac{1}{29}$，則 $\mathrm{R_f}$ 之最小值約為何？ (A) $10\mathrm{k}\Omega$ (B) $87\mathrm{k}\Omega$ (C) $92\mathrm{k}\Omega$ (D) $100\mathrm{k}\Omega$

47. 有關電晶體(BJT)和場效電晶體(FET)的比較，下列敘述何者有誤？(A) BJT是單載子元件，而FET是雙載子元件(B) 在積體電路製作上，BJT比FET佔較大的空間(C) BJT是用電流控制，而FET是用電壓控制(D) FET做為放大器產生的雜訊較BJT為低

48. 正回授電路產生振盪時，下列敘述何者正確？ (A) 迴路增益 $= 0$ ，迴路相位角 $= 180^{\circ}$ (B) 迴路增益 $= 1$ ，迴路相位角 $= 180^{\circ}$ (C) 迴路增益 $= 0$ ，迴路相位角 $= 0^{\circ}$ (D) 迴路增益 $= 1$ ，迴路相位角 $= 0^{\circ}$

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