41. 下列有關 PN 接面二極體的敘述，何者有誤？
(A)鍺二極體的障壁電壓(barrierpotential)較矽二極體低
(B)二極體加逆向偏壓後，空乏區變寬
(C)溫度上升時，障壁電壓上升
(D)溫度上升時，漏電流上升

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