11下列有關PN接面二極體的敘述，何者有誤？
(A)矽二極體的障壁電壓(barrier potential)較鍺二極體高
(B)二極體加順向偏壓後，空乏區變窄
(C)溫度上升時，障壁電壓上升
(D)溫度上升時，漏電流上升

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統計： A(11), B(11), C(197), D(22), E(0) #969803

詳解 (共 3 筆)

#2535986
(C)Si: -2.5mv/度Ge: -...
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#1190324
(c)-2mv/c
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#5917827
實際上，隨著溫度的上升，障壁電壓通常會下降。
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私人筆記 (共 1 筆)

私人筆記#7668760
未解鎖
PN 接面二極體敘述判斷 逐項分析： ...
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