46. 如圖 ( 三十 ) 所示實驗電路,調整 VG以控制閘源極間電壓 VGS,調整 VDD以操作汲源極間電壓VDS。若 MOSFET 之臨界電壓 V t = 2.5 V,並使此 MOSFET 操作於飽和區,則下列 狀況何者正確?
(A) VGS=5V,VDS=1V
(B) VGS=4V,VDS=1.2V
(C) VGS=3V,VDS=1.5V
(D) VGS=2V,VDS=1.8V

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統計: A(6), B(13), C(29), D(6), E(0) #3229670

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N通道增強型MOSFET飽和區條件: ...
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私人筆記#5958907
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VG=0+5=5 Vs=0(接地) V...

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