5.下列有關pn 接面二極體（pn junction diode）特性之敘述，何者正確？ (A) 在p型矽（p-type silicon）區域沒有電子存在 (B) 當矽的摻雜濃度越高時，其接面內建電壓（built-in voltage）的值越小 (C) 以接面處為起點，空乏區的寬度會比較深入摻雜濃度較低的一邊 (D) 空乏區（depletion region）的寬度隨著逆向偏壓的絕對值之增加而減少