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100年 - 100 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_電氣技術員、電子技術員:電子學#27407
> 試題詳解
5. BJT 的集極電流和基極電流分別為 I
C
與 I
B
,若 I
C
< BI
B
,則 BJT 工作於用哪一區?
(A)截止區
(B)作用區
(C)飽和區
(D)崩潰區
答案:
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統計:
A(6), B(6), C(87), D(2), E(0) #944097
詳解 (共 2 筆)
【站僕】摩檸Morning.
B2 · 2016/09/02
#1456272
原本題目:5. BJT 的集極電流和基極...
(共 182 字,隱藏中)
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張育騰(已考上初、普、高考)
B1 · 2016/08/25
#1450910
題目不完整
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相關試題
6.如【圖 6】所示之電路,若電晶體之 β =80,VCE (sat) = 0V 且工作於飽和區,則最小基極電流為何? (A) 48 µA (B) 55 µA (C) 64 µA (D)75 µA
#944098
7.在電路中射極隨耦器的功用為何? (A)功率轉換 (B)阻抗轉換 (C)電流轉換 (D)電壓轉換
#944099
8.有關 BJT 之偏壓電路,下列何者穩定度最低? (A)固定偏壓電路 (B)自給偏壓電路 (C)分壓偏壓電路 (D)射極回授偏壓電路
#944100
9. BJT 放大電路中,哪一種組態電路的電壓增益與電流增益均可大於 1? (A)共基極組態電路 (B)共集極組態電路 (C)共射極組態電路 (D)共汲極組態電路
#944101
10.有關達靈頓電路特性之敘述,下列何者錯誤? (A)輸入阻抗高 (B)電壓增益略小於 1 (C)電流增益高 (D)輸出阻抗高
#944102
11.有一 N 通道 JFET,其 IDSS =10 mA,VGS(OFF) = -4 V,若 VGS = -2 V 則汲極電流 ID 為何? (A) 5.2 mA (B) 4.2 mA (C) 3.6 mA (D)2.5 mA
#944103
12.若 N 通道空乏型 MOSFET 之夾止電壓 VGS(P) = -4V,閘極電壓 VG = -1V,汲極電壓 VD = 6 V 且源極電壓 VS = 1 V, 則其工作於何種模式? (A)截止區模式 (B)夾止飽和區模式 (C)歐姆區模式 (D)崩潰模式
#944104
13.有關 MOS FET 特性之敘述,下列何者錯誤? (A)單載子元件 (B)易受靜電影響 (C)汲極電流具正溫度係數 (D)為電場控制元件
#944105
14.運算放大器內部為何種耦合方式之多級串聯放大電路? (A)直接耦合 (B) RC 耦合 (C)變壓器耦合 (D)RL 耦合
#944106
15.某運算放大器之共模增益為 10,差模增益為 105,則其共模拒斥比 CMRR 為何? (A) 60 dB (B) 70 dB (C) 80 dB (D)100 dB
#944107
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