申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：111年 - 111 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#112359
科目：半導體工程
年份：111年
排序：0

四、考慮一多晶矽閘極金氧半電容（polysilicon-gate MOS capacitor），在高摻雜的閘極，其 E_F - E_C = 0.2 eV；在一般摻雜的矽基板，其 E_C - E_F = 0.2 eV。假設此結構理想化，

(一)畫出此多晶矽閘極金氧半電容在平帶（flat-band）情況下的能帶圖。（10 分）