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半導體工程
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106年 - 106 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#62477
> 申論題
題組內容
五、作答並解釋：
⑴熱氧化法生長二氧化矽膜，使用濕氧化法或乾氧化法之生長速率何者較高？（4 分）
相關申論題
一、假如一半導體均勻照光時有一均勻之載子產生速率 G，在穩態下，求半導體電導（σ） 之改變量 Δσ。（20 分）
#249483
二、對一純矽塊樣本，由一邊摻雜施體（donor），其濃度分布為 ND = Noexp（-ax），ND ＞＞ ni ， 在平衡狀態下，推演內建電場 E(x)。若 a = 1 μm -1，計算內建電場 E(x)。（ni為矽之本 質濃度）。（20 分）
#249484
三、一操作在主動區之正負正雙載子電晶體（p + -n-p bipolar transistor），畫出射極（emitter）、 基極（base）、汲極（collector）區之少數載子分布圖。（20 分）
#249485
四、有兩個金氧半（MOS）元件除氧化層厚度不同外特性相同，高頻電容-電壓量測產生 之電容最大值與最小值之比值為 4 與 2，根據這些數據，計算氧化層厚度比。矽介電 常數 εs為 11.9εo，氧化層介電常數 εox為 3.9εo，真空之介電常數為 εo。（20 分）
#249486
⑵使用乾氧化法生長二氧化矽膜，初期生長之膜厚與時間之關係為何？在二氧化矽 膜初期生長時，（111）或（100）之矽晶圓上之生長速率何者較高？（8 分）
#249488
⑶使用乾氧化法生長一定厚度二氧化矽膜後，生長之膜厚與時間之關係為何？在二氧 化矽膜具一定厚度時，（111）或（100）之矽晶圓上之生長速率何者較高？（8 分）
#249489
五、隨著技術節點持續微縮，曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降，至鰭式場效電晶體（FinFET）時代，如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。（20 分）
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應？並說明此方法可能導致的副作用。（12 分）
#560351
(一)請說明為何金氧半場效電晶體（MOSFET）的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。（8 分）
#560350
(二)請計算 t =0 秒時準費米能階相對於本質費米能階的能量差，並在能帶圖上標示出來。（10 分）
#560349
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