⑵使用乾氧化法生長二氧化矽膜，初期生長之膜厚與時間之關係為何？在二氧化矽膜初期生長時，（111）或（100）之矽晶圓上之生長速率何者較高？（8 分）

四、有兩個金氧半（MOS）元件除氧化層厚度不同外特性相同，高頻電容-電壓量測產生之電容最大值與最小值之比值為 4 與 2，根據這些數據，計算氧化層厚度比。矽介電常數 εs為 11.9εo，氧化層介電常數 εox為 3.9εo，真空之介電常數為 εo。（20 分）