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半導體工程
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106年 - 106 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#62477
> 申論題
三、一操作在主動區之正負正雙載子電晶體(p
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-n-p bipolar transistor),畫出射極(emitter)、 基極(base)、汲極(collector)區之少數載子分布圖。(20 分)
相關申論題
四、有兩個金氧半(MOS)元件除氧化層厚度不同外特性相同,高頻電容-電壓量測產生 之電容最大值與最小值之比值為 4 與 2,根據這些數據,計算氧化層厚度比。矽介電 常數 εs為 11.9εo,氧化層介電常數 εox為 3.9εo,真空之介電常數為 εo。(20 分)
#249486
⑴熱氧化法生長二氧化矽膜,使用濕氧化法或乾氧化法之生長速率何者較高?(4 分)
#249487
⑵使用乾氧化法生長二氧化矽膜,初期生長之膜厚與時間之關係為何?在二氧化矽 膜初期生長時,(111)或(100)之矽晶圓上之生長速率何者較高?(8 分)
#249488
⑶使用乾氧化法生長一定厚度二氧化矽膜後,生長之膜厚與時間之關係為何?在二氧 化矽膜具一定厚度時,(111)或(100)之矽晶圓上之生長速率何者較高?(8 分)
#249489
二、閃火點的測試方法有那兩種?那一種方法所測得的數值較高?為什麼?(25 分)
#249491
三、由磷酸二氫氨(NH4⋅H2PO4)滅火時的化學反應,說明磷酸二氫氨的滅火原理。(25 分)
#249492
四、半導體光電產業所使用的矽甲烷(silane, SiH4)於室溫下外洩,不需要火源即會燃燒 (自燃),此現象是否違反燃燒三要素中的燃燒需要火源?試由反應動力學與燃燒三 要素中的火源關係說明其原因?(25 分)
#249493
⑴常用瓦斯的種類(含名稱、主要成分、基本物性等);(5 分)
#249494
⑵瓦斯氣爆的原因及防範措施;(6 分)
#249495
⑶瓦斯火災的原因及防範措施;(6 分)
#249496
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