四、有兩個金氧半（MOS）元件除氧化層厚度不同外特性相同，高頻電容-電壓量測產生 之電容最大值與最小值之比值為 4 與 2，根據這些數據，計算氧化層厚度比。矽介電 常數 εs為 11.9εo，氧化層介電常數 εox為 3.9εo，真空之介電常數為 εo。（20 分）