申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：106年 - 106 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#62477
科目：半導體工程
年份：106年
排序：0

四、有兩個金氧半（MOS）元件除氧化層厚度不同外特性相同，高頻電容-電壓量測產生之電容最大值與最小值之比值為 4 與 2，根據這些數據，計算氧化層厚度比。矽介電常數 ε_s為 11.9εo，氧化層介電常數 ε_ox為 3.9ε_o，真空之介電常數為 ε_o。（20 分）