五、有一 n
+pn Si BJT，如圖三，其射極和集極區都甚長，面積為 A＝10
－6 cm
2。且相關 參數如下：
1.此 BJT 為均勻攙雜，且各區之雜質濃度為 NE＝1019cm-3，NB＝1017cm-3， NC＝1015cm-3。
2.少數載子之擴散係數如下：DE＝2 cm2/s，DB＝20 cm2/s，DC＝12 cm2/s。 3.少數載子之生命期 τE＝10－7s，τB＝τC＝10－6s。 若此 BJT 以 VBE＝0.6V，VCB＝1V 的條件操作於活性區（active region）且 WB＝0.6 µm。 試問：
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