95年 - 95 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#40530

科目：半導體工程 | 年份：95年 | 選擇題數：0 | 申論題數：15

試卷資訊

所屬科目：半導體工程

選擇題 (0)

申論題 (15)

⑴當此凹槽完全為氧化物所填滿後，如圖一右所示，SiO₂ 之寬度（即 x）變成多少？（設生成 1µm 的 SiO₂ 會消耗 0.46µm 的 Si）（10 分）

⑵雖然 Si₃N₄ 是一種很好的氧化遮罩材料，但在很高溫的蒸氣環境，它仍會氧化形成 SiO₂。若因為 Si₃N₄ 的氧化，導致 0.1µm 厚的 SiO₂ 生成，試問 Si₃N₄ 會消耗多少厚度？（設 Si₃N₄ 包含 1.48×10²² 分子/cm³，而 SiO₂ 包含 2.3×10²² 分子/cm³）（10 分）

⑴在設計雙載子電晶體（BJT）時，為何集極（collector）之攙雜濃度不似基極（base）那麼高？（7 分）

⑵在 BJT 中為何基極的寬度都作得很窄？（6 分）

⑶若增加射極（emitter）之能隙使之較基極為大，則此 BJT 之特性與傳統結構相較孰優孰劣？為什麼？（7 分）

⑴半導體為 n 型 Si，且Φ_M＞Φ_S

⑵半導體為 n 型 Si，且Φ_M＜Φ_S

⑶半導體為 p 型 Si，且Φ_M＞Φ_S

⑷半導體為 p 型 Si，且Φ_M＜Φ_S

⑴作用於此元件之電壓為何？（6 分）

⑵對應於此元件之電容為多少 nF/cm²？（7 分）

⑶若 n 型區攙雜濃度為 10¹⁷cm^-3，則其空乏區邊緣（at the edge of the depletion region）之少數載子濃度為何（設 n_i＝10¹⁰ cm^-3）？（7 分）

⑴在各空乏區邊緣（即圖三所標示之 A，B，C，D 等位置）之多出少數載子濃度（excess minority-carrier concentration）為何？（7 分）

⑵集極電流（I_C）為何？（6 分）

⑶計算 Early voltage（V_A）為何？（7 分）