題組內容

一、如圖一左，在矽基板上蝕刻出一條 1µm 寬之凹槽（groove）後，另覆蓋一層 Si3N4 於此矽表面上作為氧化遮罩（oxidation mask），並將此樣品送入蒸氣室作 1100 °C 的氧化。問：

⑴當此凹槽完全為氧化物所填滿後，如圖一右所示，SiO2 之寬度（即 x）變成多少？ （設生成 1µm 的 SiO2 會消耗 0.46µm 的 Si）（10 分）