申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：95年 - 95 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#40530
科目：半導體工程
年份：95年
排序：0

題組內容

一、如圖一左，在矽基板上蝕刻出一條 1µm 寬之凹槽（groove）後，另覆蓋一層 Si₃N₄ 於此矽表面上作為氧化遮罩（oxidation mask），並將此樣品送入蒸氣室作 1100 °C 的氧化。問：

申論題內容

⑵雖然 Si₃N₄ 是一種很好的氧化遮罩材料，但在很高溫的蒸氣環境，它仍會氧化形成 SiO₂。若因為 Si₃N₄ 的氧化，導致 0.1µm 厚的 SiO₂ 生成，試問 Si₃N₄ 會消耗多少厚度？（設 Si₃N₄ 包含 1.48×10²² 分子/cm³，而 SiO₂ 包含 2.3×10²² 分子/cm³）（10 分）