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半導體工程
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95年 - 95 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#40530
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題組內容
三、設金屬之功函數為Φ
M
,半導體之功函數為Φ
S
,試繪出熱平衡時下列四種金屬/半 導體接面(M–S Contact)之能帶圖,並指出何者為蕭特基歐姆接觸(Schottky Ohmic Contact)?何者為蕭特基整流接觸(Schottky Rectifying Contact)?(20 分)
⑵半導體為 n 型 Si,且Φ
M
<Φ
S
相關申論題
⑴當此凹槽完全為氧化物所填滿後,如圖一右所示,SiO2 之寬度(即 x)變成多少? (設生成 1µm 的 SiO2 會消耗 0.46µm 的 Si)(10 分)
#124983
⑵雖然 Si3N4 是一種很好的氧化遮罩材料,但在很高溫的蒸氣環境,它仍會氧化形 成 SiO2。若因為 Si3N4 的氧化,導致 0.1µm 厚的 SiO2 生成,試問 Si3N4 會消耗多 少厚度?(設 Si3N4 包含 1.48×1022 分子/cm3,而 SiO2 包含 2.3×1022 分子/cm3) (10 分)
#124984
⑴在設計雙載子電晶體(BJT)時,為何集極(collector)之攙雜濃度不似基極(base) 那麼高?(7 分)
#124985
⑵在 BJT 中為何基極的寬度都作得很窄?(6 分)
#124986
⑶若增加射極(emitter)之能隙使之較基極為大,則此 BJT 之特性與傳統結構相較 孰優孰劣?為什麼?(7 分)
#124987
⑴半導體為 n 型 Si,且ΦM>ΦS
#124988
⑶半導體為 p 型 Si,且ΦM>ΦS
#124990
⑷半導體為 p 型 Si,且ΦM<ΦS
#124991
⑴作用於此元件之電壓為何?(6 分)
#124992
⑵對應於此元件之電容為多少 nF/cm2?(7 分)
#124993
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