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半導體工程
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95年 - 95 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#40530
> 申論題
題組內容
四、有一 P+N 接面如圖二所示（E
g
為 1.1ev，ε
s
＝11.7ε
0
，而 ε
0
＝8.854×10
－14
F/cm）， 試問：
⑵對應於此元件之電容為多少 nF/cm
2
？（7 分）
相關申論題
⑴當此凹槽完全為氧化物所填滿後，如圖一右所示，SiO2 之寬度（即 x）變成多少？ （設生成 1µm 的 SiO2 會消耗 0.46µm 的 Si）（10 分）
#124983
⑵雖然 Si3N4 是一種很好的氧化遮罩材料，但在很高溫的蒸氣環境，它仍會氧化形 成 SiO2。若因為 Si3N4 的氧化，導致 0.1µm 厚的 SiO2 生成，試問 Si3N4 會消耗多 少厚度？（設 Si3N4 包含 1.48×1022 分子/cm3，而 SiO2 包含 2.3×1022 分子/cm3） （10 分）
#124984
⑴在設計雙載子電晶體（BJT）時，為何集極（collector）之攙雜濃度不似基極（base） 那麼高？（7 分）
#124985
⑵在 BJT 中為何基極的寬度都作得很窄？（6 分）
#124986
⑶若增加射極（emitter）之能隙使之較基極為大，則此 BJT 之特性與傳統結構相較 孰優孰劣？為什麼？（7 分）
#124987
⑴半導體為 n 型 Si，且ΦM＞ΦS
#124988
⑵半導體為 n 型 Si，且ΦM＜ΦS
#124989
⑶半導體為 p 型 Si，且ΦM＞ΦS
#124990
⑷半導體為 p 型 Si，且ΦM＜ΦS
#124991
⑴作用於此元件之電壓為何？（6 分）
#124992
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