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申論題

試卷：95年 - 95 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#40530
科目：半導體工程
年份：95年
排序：0

申論題資訊

試卷：95年 - 95 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#40530
科目：半導體工程
年份：95年
排序：0

題組內容

二、簡答題：

申論題內容

⑶若增加射極（emitter）之能隙使之較基極為大，則此 BJT 之特性與傳統結構相較 孰優孰劣？為什麼？（7 分）