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半導體工程
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101年 - 101 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#39534
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題組內容
二、下圖是砷化鎵的能帶結構圖。
⑴請說明 n 型砷化鎵為何會顯現負微分遷移率（negative differential mobility）。（9 分）
相關申論題
⑴遷移率（mobility）μ。（7 分）
#118040
⑵飽和速度（saturation velocity）vsat。（7 分）
#118041
⑵請由你的說明歸納出半導體會具有負微分遷移率的幾個必要條件。（9 分）
#118043
⑴ 說 明 如 何 從 一 個 pn 二 極 體 的 順 向 偏 壓 I-V 特 性 來 得 到 逆 向 飽 和 電 流 （ reverse saturation current）Is。（8 分）
#118044
⑵為何不直接從 pn 二極體的逆向偏壓 I-V 特性得到逆向飽和電流，有何實際困難？ （8 分）
#118045
⑴說明這兩個電容的成因為何？（6 分）
#118046
⑵在順向偏壓下，主控的電容會是那一個？為什麼？（6分）
#118047
⑶在逆向偏壓下，主控的電容會是那一個？為什麼？（6 分）
#118048
⑴繪圖說明雙極性接面電晶體的基極寬度調變（base width modulation）效應。（6 分）
#118049
⑵繪出集極電流對基極集極間電壓之關係，並說明基極寬度調變效應對集極電流的 影響。（6 分）
#118050
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