申論題

六、在電漿（plasma）應用製程中，兩電極間加上 RF，因電子移動速度較離子快，會形 成電漿電位（plasma potential）V_P，令電漿相對 RF 電極之直流壓降（DC bias）為 V_x，相對接地電極之直流壓降為 V_y，RF 電極面積為 A_x，接地電極面積為 A_y，其 中 A_y = n A_x，關係式為 V_x/V_y = n⁴。已知兩電極間之自偏壓（self-bias）為 V_y 的 1.25 倍，V_P = 20 V，請求出：

⑴ n =？（8 分）