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申論題資訊

試卷:114年 - 114 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#128721
科目:半導體工程
年份:114年
排序:0

題組內容

三、

申論題內容

(一)對於工作在主動模式(active mode)的 npn 雙極性接面電晶體(bipolar ,即射極-基極接面(EBJ)順向偏壓,集極-基 junction transistor,BJT) 極接面(CBJ)反向偏壓。假設由射極注入至基極的少數載子濃度在 EBJ 相鄰的中性基極處為 np(0),而在相鄰 CBJ 的中性基極處的少數濃度為 np(WB)。假設基極層的厚度 WB,此厚度遠低於電子在基極層的擴散長度 Ln,即 WB << Ln,請寫出流經此 p 型基極層的電子電流密度方程式。 (10 分)