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半導體工程
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112年 - 112 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#118133
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題組內容
五、SiO
2
、S
3
N
4
及 Ta
2
O
5
的相對介電常數（ε
s
）分別約為 3.9、7.6 及 25。
(一)若分別以介電層 Ta
2
O
5
及 SiO
2
作為電容，且 Ta
2
O
5
：SiO
2
之厚度比 2：1、面積比為 3：1，試求其電容比？（5 分）
其他申論題
(一)請以數學表示式定義 p-n 接面之「內建電位（Vbi, built-in potential）」。 （5 分）
#504191
(二)請繪出 p-n 接面其分別在逆向偏壓、順向偏壓之能帶圖（energy-band diagram），並說明其整流（rectification）特性。（10 分）
#504192
(一)請敘述「基極寬度調變效應（base width modulation effect）」，並說明其對於 BJT 輸出電導（go）之影響。（10 分）
#504193
(二)請敘述「高注入效應（high injection effect）」，並說明其對於 BJT 共射極電流增益（β）之影響。（10 分）
#504194
(二)假設以厚度為 3t 微米之 Ta2O5 作為介電層之電容值為 C1；另以各層厚度均分別為 t 微米之 SiO2/S3N4/SiO2作為介電疊層之電容值為 C2。假設兩者具有相同面積，試計算 C1/C2 之比值？（10 分）
#504196
六、矽 p-n 接面在 T = 300 K 之施體雜質與受體雜質濃度分別為 ND = 1015 cm-3 及 ND = 1016 cm-3，且未施加電壓；本質載子濃度 ni = 1.5 × 1010 cm-3。試求空乏區寬度及最大電場強度分別為？（20 分） [kT_300K = 0.0259 eV 、單位電 量 q = 1.6 × 10-19 C 、 介電常數為 11.7ε0(ε0 = 8.85 × 10-14 F/cm)]
#504197
(一) W 公司每年年底應等額償還多少元給 A 銀行？（10 分）
#504198
(二)假如 W 公司於償還第 6 次款項後，即向 A 銀行辦理解約，「剩餘積欠款項」準備全部改向提供較低利率條件的 B 銀行借款，以減少公司的利息支出。請計算上述 W 公司於償還第 6 次款項後必須清償 A 銀行 的「剩餘積欠款項」是多少元？（10 分）
#504199
(三)假如 B 銀行提供給 W 公司的借款條件為利率每年 8%單利計算，分 4 年於每年年底償還當年的利息費用以及 W 公司向 B 銀行原借款本金的 25%，請計算 W 公司向 B 銀行償還第 2 次款項的金額是多少元？ （5 分）
#504200
(一)請分別求算 A，B，C 三家銀行每半年的實際利率分別為多少（答案請以小數表示，求至小數點後六位）？（10 分）
#504201
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