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申論題資訊

試卷:112年 - 112 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#118133
科目:半導體工程
年份:112年
排序:0

題組內容

五、SiO2、S3N4 及 Ta2O5 的相對介電常數(εs)分別約為 3.9、7.6 及 25。

申論題內容

(一)若分別以介電層 Ta2O5 及 SiO2 作為電容,且 Ta2O5:SiO2之厚度比 2:1、面積比為 3:1,試求其電容比?(5 分)