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半導體工程
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111年 - 111 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#108533
> 申論題
題組內容
四、
(一)請繪出使用 p 型井（p-well）CMOS（complementary MOS）反相器的 橫截面圖。 （10 分）
相關申論題
(一)砷化鎵的晶體結構為何？（3 分）
#465676
(二)砷化鎵單位晶格中各有幾個砷原子和鎵原子？（4 分）
#465677
(三)已知砷化鎵的密度是 5.33 g/cm3，鎵和砷的原子量分別為 69.72 和 74.92，請計算砷化鎵的晶格常數。（8 分）
#465678
(一)請計算半導體的主要導電載子濃度。（10 分）
#465679
(二)若材料的電阻率是 0.52 Ω-cm，請計算載子的遷移率值。（10 分）
#465680
(一)請說明薄膜電晶體（TFT）的元件結構。 （5 分）
#465681
(二)請說明複晶矽薄膜電晶體的載子遷移率較低的原因及如何改善？ （10 分）
#465682
(二)請說明 CMOS 的閂鎖（latch-up）效應。（10 分）
#465684
(一)請繪出熱平衡下金屬-半導體接面的能帶結構圖，並標示 φm、φS、χS 位 置。（5 分）
#465685
(二)請繪出熱平衡下金屬-半導體接面的電荷分布與電場分布。 （6 分）
#465686
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