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半導體工程
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94年 - 94 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#40578
> 申論題
題組內容
八、在量測半導體晶片或磊晶層的濃度,我們通常使用霍爾效應(Hall effect)及電容-電 壓(C-V)方法。
(一) 請說明這兩種量測方法的基本原理。(10 分)
相關申論題
(二)請說明這兩種方法量測出來的濃度,何者會較高?為什麼?(10 分)
#125241
(一)計算抽氣泵(pump)的抽氣速率(以單位為 atm/sec 表示)?(10 分)
#125242
(二)計算反應腔室中,一個氣體分子的殘餘時間(residence time)?(10 分)
#125243
⑴試說明深部等效劑量、淺部等效劑量與眼球等效劑量之定義。
#125244
⑵說明如何利用熱發光劑量計度量上述三種等效劑量。
#125245
⑴說明蓋革計數器之無感時間(dead time)、分解時間(resolving time)及恢復時 間(recovery time)。
#125246
⑵試舉出二種度量無感時間的方法,並說明之。
#125247
⑶如有一蓋革計數器為 nonparalyzable 型式,其分解時間為 300μs,觀察到的計數 率為 60000 cpm,求真實計數率。
#125248
⑴試說明其成因。
#125249
⑵單逃逸峰與雙逃逸峰出現之能量為何?原因為何?
#125250
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