申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：94年 - 94 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#40578
科目：半導體工程
年份：94年
排序：0

九、在標準狀況（壓力為 1 atm，溫度為 0℃）下的電漿蝕刻過程中，反應氣體以 10 c.c./秒的速率流入 100 公升的反應腔室中，產生的穩態壓力為 0.2 托（torr），

(二)計算反應腔室中，一個氣體分子的殘餘時間（residence time）？（10 分）