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半導體工程
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94年 - 94 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#40578
> 申論題
題組內容
九、在標準狀況(壓力為 1 atm,溫度為 0℃)下的電漿蝕刻過程中,反應氣體以 10 c.c./秒 的速率流入 100 公升的反應腔室中,產生的穩態壓力為 0.2 托(torr),
(二)計算反應腔室中,一個氣體分子的殘餘時間(residence time)?(10 分)
相關申論題
⑴試說明深部等效劑量、淺部等效劑量與眼球等效劑量之定義。
#125244
⑵說明如何利用熱發光劑量計度量上述三種等效劑量。
#125245
⑴說明蓋革計數器之無感時間(dead time)、分解時間(resolving time)及恢復時 間(recovery time)。
#125246
⑵試舉出二種度量無感時間的方法,並說明之。
#125247
⑶如有一蓋革計數器為 nonparalyzable 型式,其分解時間為 300μs,觀察到的計數 率為 60000 cpm,求真實計數率。
#125248
⑴試說明其成因。
#125249
⑵單逃逸峰與雙逃逸峰出現之能量為何?原因為何?
#125250
⑶康普吞邊緣能量為何?原因為何?
#125251
⑴為使計測誤差最小,則射源與背景計測時間應如何分配?
#125252
⑵在此時間分配條件下,求射源之淨計數率(cps)及其標準差。
#125253
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