題組內容

一、砷化鎵半導體的晶格結構為閃鋅（zincblende）結構；其中砷原子構成一 個面心立方次晶格（sub-lattice） ，而鎵原子構成另一個面心立方次晶格。

(二)若以矽原子為砷化鎵半導體的雜質。分別就矽原子進入砷原子的次晶 格取代砷原子、以及進入鎵原子的次晶格取代鎵原子，討論如何影響 砷化鎵的導電型態。 （10 分）