申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：110年 - 110 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#104839
科目：半導體工程
年份：110年
排序：0

一、砷化鎵半導體的晶格結構為閃鋅（zincblende）結構；其中砷原子構成一個面心立方次晶格（sub-lattice），而鎵原子構成另一個面心立方次晶格。

(二)若以矽原子為砷化鎵半導體的雜質。分別就矽原子進入砷原子的次晶格取代砷原子、以及進入鎵原子的次晶格取代鎵原子，討論如何影響砷化鎵的導電型態。（10 分）