申論題內容
四、考慮一個異質 PN 接面，P 型半導體的能隙為 1.4 eV，其中性區之費米
能階在價電帶上方 0.05 eV。N 型半導體的能隙為 1.7 eV，其中性區的費
米能階在導電帶下方 0.1 eV。若在接面接合處 N 型半導體的導電帶比 P
型半導體的導電帶高 0.2 eV。假設 P 型半導體的雜質濃度 NA 遠高於 N
型半導體的雜質濃度 ND，畫出平衡時的能帶圖概要圖，圖中需標出能
隙、中性區費米能階、接合處的導電帶與價電帶差異，以及空間電荷區。
說明空間電荷區的主要電荷及其電場方向。並求此 PN 接面的內建電位
（built-in potential）大小。（20 分）
阿摩線上測驗
登入