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申論題資訊

試卷:110年 - 110 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#104839
科目:半導體工程
年份:110年
排序:0

題組內容

一、砷化鎵半導體的晶格結構為閃鋅(zincblende)結構;其中砷原子構成一 個面心立方次晶格(sub-lattice) ,而鎵原子構成另一個面心立方次晶格。

申論題內容

(一)繪出閃鋅晶格結構,並說明次晶格如何使兩種原子組合成共價鍵鍵 結。 (10 分)