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申論題資訊

試卷:114年 - 114 高等考試_二級_電子工程:積體電路技術#131604
科目:積體電路技術
年份:114年
排序:0

題組內容

二、於 CMOS 積體電路製作過程,電晶體的閘極介電層中或多或少會存在移 動性離子電荷 Qm,請詳述:

申論題內容

(四)如何使用 BTS(bias-temperature stress)測試估算 Qm 的量(10 分)