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114年 - 114 高等考試_二級_電子工程:電子元件#131605
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題組內容
二、在熱平衡下的同一半導體之單邊陡峭
接面,若受體濃度遠大於施體濃度,
(一)繪出其空間電荷分布圖,於圖上標示空乏區,並寫出空乏區公式。
相關申論題
(二)繪出其電場分布圖,於圖上標示最大電場,寫出最大電場計算式。
#554259
(三)以中性 p 區的零電位作為參考點(在距離 x = 0 的電位為零)繪出其電位分布圖,於圖上標示內建電位,寫出電位隨 x 變化之式子。
#554260
(一)從古典以及量子力學觀點畫出電子濃度從絕緣體 – 半導體界面深入半導體基底的分布圖,並說明之。
#554261
(二)詳述此量子侷限效應對於金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET) 臨界電壓之影響。
#554262
四、雙極性接面電晶體(BJT)依據集極–基極接面(當成 x 軸)與射極–基極接面(當成 y 軸)的電壓極性,可以分為四種操作模式,分別是⑴飽和 (Saturation)、⑵順向主動(Active)、⑶截止(Cutoff)、以及⑷反轉主動(Inverted)模式。以 pnp 雙極性接面電晶體為例,在 x–y 平面上,以四種象限,寫出上述四種操作模式下的接面極性,畫出基極區少數載子分布圖,並說明之。
#554263
五、說明短通道效應對於金屬氧化物半導體場效應電晶體的⑴導通電流();⑵截止電流();⑶臨界電壓();⑷次臨界擺幅(SS);以及⑸汲極導致位障下降(DIBL)之影響。
#554264
(一)試運用羅斯赫維茲準則(Routh-Hurwitz Criterion) ,判定是否其極點皆 穩定且位於左半開平面。
#554265
(二)試運用羅斯赫維茲準則輔以變數變換,判定是否所有極點皆位於 s =-2 之左半開平面。
#554266
(一)試求出轉移函數(transfer function)。
#554267
(二)若β( s )=(s+2)、η(s)=(s+1)、α(s)=γ(s)=m=1、n=0,系統輸出Y(s) 能成功排除干擾訊號D(s)=,試判定 k 之最大值。
#554268
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