申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：114年 - 114 高等考試_二級_電子工程：電子元件#131605
科目：電子元件
年份：114年
排序：0

題組內容

三、對於在高垂直電場下的金屬 – 絕緣體 – 半導體結構，反轉層電子的運動在垂直於半導體表面的方向受到侷限，形成二維電子氣（2DEG）。

申論題內容

(二)詳述此量子侷限效應對於金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）臨界電壓之影響。