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申論題資訊

試卷:114年 - 114 高等考試_二級_電子工程:電子元件#131605
科目:電子元件
年份:114年
排序:0

申論題內容

五、說明短通道效應對於金屬氧化物半導體場效應電晶體的⑴導通電流();⑵截止電流();⑶臨界電壓();⑷次臨界擺幅(SS);以及⑸汲極導致位障下降(DIBL)之影響。