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103年 - 103 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#39793
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申論題
試卷:103年 - 103 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#39793
科目:半導體工程
年份:103年
排序:0
申論題資訊
試卷:
103年 - 103 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#39793
科目:
半導體工程
年份:
103年
排序:
0
題組內容
三、有一 n 通道增強型(enhancement type)MOSFET,其 i
D
-V
DS
特性曲線,當電晶體工 作於飽和區(Saturation region)時,其 i
D
仍隨V
DS
增加而增加。請問:
申論題內容
(1)iD 仍隨 VDS增加而增加,其主要原因是什麼效應產生的?(6 分)