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技師◆材料分析技術
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103年 - 103 專技高考_冶金工程技師:材料分析技術#25227
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題組內容
一、試以原理、試片準備、解析度、分析結果等方面說明下列 3 種材料晶體結構分析的 技術:(每小題 5 分,共 15 分)
(2)電子繞射(electron diffraction)
其他申論題
三、何謂 Active Sensors 和 Passive Sensors?請各舉二例,並說明其特性。(20 分)
#35028
四、何謂 Unmanned Aerial System?請說明其組成,以及可能之應用領域與限制。(20 分)
#35029
五、請詳細說明如何利用航遙測與其他相關技術建立三維數位城市(包括:使用的技術、 資料類型、資料處理方法、所需的設備或軟體、預計產出的資料、呈現的方式等)。 (20 分)
#35030
(1)X 光繞射(X-ray diffraction, XRD)
#35031
(3)電子背向散射繞射(electron backscattered diffraction, EBSD)
#35033
(1)試片如為10-50 nm (奈米)厚的金屬薄膜材料[基材是矽基板,試說明較適用何 種技術分析金屬的晶體結構,(5 分)並述明選用的原因。(10 分)
#35034
(2)試說明掃描式電子顯微鏡或是穿透式電子顯微鏡中的光成分分析(EDS)技術 較適合該金屬薄膜的成分為何?(5 分),並述明選用的原因。(10 分)
#35035
(1)若以X 光繞射峰來計算晶體結構的晶格常數(lattice constant),你/妳要選擇波 長短或波長長的 X 光?試說明理由。(10 分)
#35036
(2)試說明掃描式電子顯微鏡加速電壓僅至30KV,穿透式電子顯微鏡則可達 200 KV 甚至 300KV,請說明其原因。(5 分)
#35037
(3)試說明光學顯微鏡與掃描式電子顯微鏡兩者試片準備差異性之原因。(10 分)
#35038