申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：99年 - 99 專利商標審查特種考試_二等_電子工程：積體電路製程技術#46998
科目：積體電路技術
年份：99年
排序：0

題組內容

二、

申論題內容

⑴敘述鎢金屬化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD-W）技術在極大型積體電路（ULSI）應用上，氣相預清潔（Vapor Phase Precleaning）技術在沉積速率（Deposition Rate）、選擇率（Selectivity）、矽耗（Si Consumption）、黏附（Adhesion）之影響特性。