題組內容

五、圖5 之CMOS 反相器電路，已知VDD =8 V，電晶體之臨限電壓為Vtn=2 V，Vtp=–2 V。 電晶體 QN之電流 iDN特性如下：當 VI≦Vtn(off)時 iDN = 0；當 0≦VI– Vtn≦Vo(sat)時 iDN = 25(VI– Vtn) 2 ；當VI–Vtn≧Vo(triode)時 iDN = 25[2(VI–Vtn)Vo –Vo 2 ]。電晶體 QP之電 流 iDP特性如下：當 VI≧VDD –│Vtp│(off)時iDP= 0；當Vo –│Vtp│≦VI≦VDD –│Vtp│(sat) 時 iDP=20(VDD –VI–│Vtp│) 2 ；當 VI≦Vo –│Vtp│(triode)時 iDP= 20[2(VDD – VI–│Vtp│) (VDD – Vo)–(VDD – Vo) 2 ]。請求出：

⑴當 VI=1 V 時之 Vo=？（10 分）