題組內容

三、如圖所示電晶體電路，已知理想NMOS電晶體之臨限電壓（threshold voltage）Vt = 1.5 V， 電晶體於飽和區工作時之電流公式為ID = k．(VGS – Vt) 2 ，其中k = 0.5 mA/V2 ，忽略閘 極電流，請求出：

⑴ID =？（10 分）