題組內容
三、如圖所示電晶體電路，已知理想NMOS電晶體之臨限電壓（threshold voltage）Vt = 1.5 V，
電晶體於飽和區工作時之電流公式為ID = k．(VGS – Vt)
2
，其中k = 0.5 mA/V2
，忽略閘
極電流，請求出：
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