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107年 - 107 關務三等 電子學與電路學#69322
> 申論題
題組內容
三、一個具有線電壓大小為 240 Vrms 之三相、平衡、Δ-連接、負相序電壓源,以三相三 線供電至一個三相、Δ-連接、不平衡負載(已知該負載之各相阻抗分別為: Z
AB
=8+ j6 Ω、Z
BC
= 5 − j12 Ω、Z
CA
= j8 Ω),假設電壓源與負載間的線路阻抗為零。 以線電壓相量 V
AB
為 0°參考,試求該三相不平衡負載:
⑵吸收的總實功、總虛功、總視在功率、總複數功率與總功率因數。(10 分)
相關申論題
⑴試求該放大器在輸出電壓分別為上限值(upper limit)與下限值(lower limit)時所 對應的輸入電壓值。(10 分)
#278704
⑵試求該放大器在輸出電壓 vo 為 5 V 時之輸入電壓 vi,並算出此時的小訊號電壓增 益(small-signal voltage gain)。(15 分)
#278705
⑴在標稱電源電壓且無載條件下之輸出電壓。(5 分)
#278706
⑵在電源電壓受到±1 V變動下之輸出電壓變動與線路調整率(line regulation)。(10 分)
#278707
⑶在連接負載電阻器且負載電流為 1.5 mA 時之輸出電壓變動與負載調整率(load regulation)。(10 分)
#278708
⑴各相負載之相電流相量與吸收的實功與虛功。(15 分)
#278709
四、如圖 4 所示之兩顆 N 型金氧半(metal-oxide-semiconductor, MOS)電晶體 Q1、Q2,已知其設計參數均為:臨界電壓 Vt = 1 V、製程互導參數 μnCox =120 μA/V2、通道長度調變效應 λ = 0、通道長度 L = 1 μm。若設定 I = 120μA、 V1 = 3.5 V、V2 = 1.5 V、VDD = 5 V,試求工作在飽和區之兩電晶體的閘極 寬度,以及電阻值 R 的大小。(25 分)
#570031
三、如圖 3 所示之 pnp 型雙載子接面電晶體(bipolar junction transistor)電路, 已知其共射極電流增益(common-emitter current gain)β = 50、射基接面 電壓 VEB = 0.7 V、基極電阻器 RB = 100 kΩ,為使集極電壓為 VC = 5 V, 試求集極電阻器 RC 之值與此時的基集接面電壓。若換成一顆β = 150 之 新電晶體,則該新電晶體的基集接面電壓變為多少?新電晶體變成在那 一區工作?(25 分)
#570030
二、如圖 2 所示之雙埠網路(two-port network),已知 VS = 50∠0℃ Vrms、 ZS = 10 Ω、z11 = 40 Ω、z12 = 60Ω、z21 = 80Ω、z22 = 100Ω、ZL = 5 + j4 Ω, 試求負載 ZL 的平均吸收功率。(25 分)
#570029
一、如圖 1 所示之理想運算放大器(ideal operational amplifier)電路,試求: 等三個轉移函數(transfer functions)之數學表示式。(25 分)
#570028
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