四、如圖 4 所示之兩顆 N 型金氧半（metal-oxide-semiconductor, MOS）電晶體 Q1、Q2，已知其設計參數均為：臨界電壓 Vt = 1 V、製程互導參數 μnCox =120 μA/V2、通道長度調變效應 λ = 0、通道長度 L = 1 μm。若設定 I = 120μA、 V1 = 3.5 V、V2 = 1.5 V、VDD = 5 V，試求工作在飽和區之兩電晶體的閘極 寬度，以及電阻值 R 的大小。（25 分）
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四、如圖 4 所示之兩顆 N 型金氧半（metal-oxide-semiconductor, MOS）電晶體 Q1、Q2，已知其設計參數均為：臨界電壓 Vt = 1 V、製程互導參數 μnCox =120 μA/V2、通道長度調變效應 λ = 0、通道長度 L = 1 μm。若設定 I = 120μA、 V1 = 3.5 V、V2 = 1.5 V、VDD = 5 V，試求工作在飽和區之兩電晶體的閘極 寬度，以及電阻值 R 的大小。（25 分）