申論題

五、有一均勻摻雜之矽半導體 pn 接面，若溫度 T = 300 K，且其相關參數如下： 電子擴散係數 D_n = 25 cm² /s、電洞擴散係數 D_p = 10 cm² /s、相同之施 體與受體摻雜濃度 NA = ND =10¹⁶ cm^-3、相同之電子與電洞生命週期 τ_po=τ_no= 5 × 10^-7 s、本質載子濃度ni= 1.5 × 10¹⁰ cm^-3、單位電量q= 1.6 × 10^-19C、 波茲曼常數（Boltzmann’s constant）k = 8.62 × 10^-5 eV/K。試求：

⑵若 pn 接面之外加順向偏壓 V_a = 0.65 V 時，其電流密度=？（7 分）