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半導體工程
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104年 - 104 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#35133
> 申論題
題組內容
三、
⑵請說明什麼是鰭式場效電晶體(Fin Field-Effect Transistor, FinFET),它有什麼優點? (10 分)
相關申論題
⑴對一室溫下低摻雜的 n 型半導體,假如溫度升高,請說明它的費米能階(Fermi Level)是偏近導帶還是偏離導帶?請說明原因。(10 分)
#92800
⑵請寫出 pn 二極體中的接面定律(Law of the Junction)方程式,並說明其物理意義。 (10 分)
#92801
⑴關於 npn 雙極性電晶體,若基極(Base)區使用漸進式(Graded)濃度的結構,請 說明它可以提供的優點。(10 分)
#92802
⑵高電子遷移率電晶體(High-Electron-Mobility Transistor, HEMT)為常用於高頻通 訊的元件之一,因為這種元件具有可以在低溫時降低雜質散射(Impurity Scattering) 效應而提升二維電子雲(Two-Dimension Electron Gas, 2DEG)的電子遷移率之優 點;但在室溫或較高溫度時仍然會受到晶格散射(Lattice Scattering)的影響,能 提升電子遷移率的效應有限。然而,我們都是在室溫使用這種元件於通訊裝置, 請說明高電子遷移率電晶體在室溫可以提供的優點。(10 分)
#92803
⑴為什麼在金氧半場效電晶體(MOSFET)的通道所計算的載子遷移率和一般半導 體材料(semiconductor material)量測的載子遷移率是不同的?請說明原因。(10 分)
#92804
⑴請分別繪出由擴散與離子佈植所形成的摻雜濃度對深度的分布圖,並說明它們之 間的差異。(10 分)
#92806
⑵以熱氧化法成長的二氧化矽(SiO2)薄膜,起初成長的二氧化矽薄膜厚度與時間成 線性關係,隨著時間增長,二氧化矽薄膜厚度與時間的開根號成正比。請說明這 兩者的物理機制,這兩種機制分界處的二氧化矽薄膜厚度約為多少?(10 分)
#92807
⑶請比較使用銅優於鋁作為導線製程技術的原因,至少列出三項。(10 分)
#92808
⑷請列出乾式蝕刻優於濕式蝕刻的優點,至少列出四項。(10 分)
#92809
五、隨著技術節點持續微縮,曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降,至鰭式場效電晶體(FinFET)時代,如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。(20 分)
#560352
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