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外事警察學
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106年 - 106 警察特種考試_三等_外事警察人員(選試英語):外事警察學#62476
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題組內容
五、請試述下列名詞之意涵:(每小題 5 分,共 15 分)
⑶人口販運罪(名詞出處:人口販運防制法)
其他申論題
三、根據「警察刑事紀錄證明核發條例」,除「合於少年事件處理法第 83 條之 1 第 1 項 規定以及經易科罰金或易服社會勞動執行完畢,5 年內未再受有期徒刑以上之刑宣告 者」不予記載刑事案件紀錄外,列出其餘五款不予記載之刑事案件紀錄。(20 分)
#249478
四、根據「外事警察責任區訪問服務作業規定」,應建立外責區資料簿。外責區資料簿應 包括那些資料?(20 分)
#249479
⑴外來人口(名詞出處:外事警察責任區訪問服務作業規定)
#249480
⑵定居(名詞出處:入出國及移民法)
#249481
一、假如一半導體均勻照光時有一均勻之載子產生速率 G,在穩態下,求半導體電導(σ) 之改變量 Δσ。(20 分)
#249483
二、對一純矽塊樣本,由一邊摻雜施體(donor),其濃度分布為 ND = Noexp(-ax),ND >> ni , 在平衡狀態下,推演內建電場 E(x)。若 a = 1 μm -1,計算內建電場 E(x)。(ni為矽之本 質濃度)。(20 分)
#249484
三、一操作在主動區之正負正雙載子電晶體(p + -n-p bipolar transistor),畫出射極(emitter)、 基極(base)、汲極(collector)區之少數載子分布圖。(20 分)
#249485
四、有兩個金氧半(MOS)元件除氧化層厚度不同外特性相同,高頻電容-電壓量測產生 之電容最大值與最小值之比值為 4 與 2,根據這些數據,計算氧化層厚度比。矽介電 常數 εs為 11.9εo,氧化層介電常數 εox為 3.9εo,真空之介電常數為 εo。(20 分)
#249486
⑴熱氧化法生長二氧化矽膜,使用濕氧化法或乾氧化法之生長速率何者較高?(4 分)
#249487
⑵使用乾氧化法生長二氧化矽膜,初期生長之膜厚與時間之關係為何?在二氧化矽 膜初期生長時,(111)或(100)之矽晶圓上之生長速率何者較高?(8 分)
#249488