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申論題資訊

試卷:111年 - 111 高等考試_二級_電子工程:積體電路技術#110949
科目:積體電路技術
年份:111年
排序:0

申論題內容

一、以 p-type substrate N-well CMOS 製程為例,請畫出一個 CMOS 反相器 (inverter)的 cross section diagram,並標明所有的摻雜類型、電路連接 與端點(含輸入及輸出)、及電路操作時所需連接的電壓準位。(35 分)