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半導體工程
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109年 - 109 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#88494
> 申論題
三、請寫出p-type半導體中之連續方程式,並說明此些項次受何影響。(10分)
詳解 (共 1 筆)
詳解
提供者:hchungw
相關申論題
一、目前常用半導體有三大結構半導體,分別為鑽石結構,閃鋅礦結構,與六 方晶系,請繪出此些結構,並說明其異同。(10分)
#358435
二、一矽晶棒摻雜砷原子1016 atoms/cm3,請分析室溫之電子與電洞載子濃度, 並畫出能帶中之費米能階。Note:ni for Si is 9.65✖ 109 /cm3。(12分)
#358436
四、如果一半導體存在表面複合,請畫出少數載子從表面至內部之濃度分布 圖,並標示出平衡濃度與lifetime相關之資訊。(10分)
#358438
五、請說明二極體空間電荷與空乏區之定義。若一二極體具有NA = 1018 /cm3, ND = 1015 /cm3,請計算其內建電壓。(9分)
#358439
六、離子佈植至單晶半導體,垂直植入和傾斜角度植入會有何差異?(10分)
#358440
七、何謂磊晶成長?為何需要異質磊晶成長?異質磊晶成長須滿足那些條 件?(12分)
#358441
八、請說明發光二極體之發光機制,並說明主要發光位於二極體之何處。(10分)
#358442
九、兩種不同材料之能帶圖如圖(一),請畫出異質接面之能帶圖。(5分)
#358443
十、請畫出一金屬/氧化層/p-type半導體結構如圖(二)之平衡能帶圖,其中金屬 電子親和力為qΦm,氧化物厚度d,氧化層電子親和力為qχi,p-type半導體 電子親和力為qχ,功函數qΦs,其中qΦm > qχ,並說明此能帶圖在三種不同 電壓(V < 0、V > 0及V ≫ 0)作用時會產生那三種變化?(12分)
#358444
五、隨著技術節點持續微縮,曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降,至鰭式場效電晶體(FinFET)時代,如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。(20 分)
#560352
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