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申論題資訊

試卷:98年 - 98 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#39790
科目:半導體工程
年份:98年
排序:0

申論題內容

二、⑴考慮T=300 K摻雜鎵原子(Ga)2 × 1016 atoms/cm3於純矽晶體中,若本質濃度ni =1.5 × 1010/cm3,則決定摻雜後之材料為n型或p型及電子濃度(n)、電洞濃度( p)。(8 分)