申論題

二、在一均勻半導體材料中，其本質載子濃度（intrinsic carrier concentration）為n_i、 本質費米能階（intrinsic Fermi energy）為E_i、費米能階（Fermi energy）為E_F，當 絕對溫度為T，而Boltzmann常數為k_B時，其自由電子（electron）濃度n為何？電洞 （hole）濃度p為何？若此半導體材料為n型，其摻雜濃度N_D為 10¹⁶/cm³而ni = 1.45 × 10¹⁰/cm³時，求電洞之濃度。（10 分）